Японская корпорация Toshiba сообщила о разработке новой технологии, которая в будущем позволит создавать чипы памяти намного большей емкости на базе нового 10-нм техпроцесса. Помимо уменьшения базовых элементов памяти, инженеры также потрудились над их материалом. Новая память может работать без сбоев на протяжении более 10 лет.
                                                                         
Корпорация Toshiba объявила об успешной разработке новой туннельной технологии, которая в будущем позволит создавать флэш-память намного большей емкости, на базе нового, 10-нанометрового технологического процесса. Технология была анонсирована вчера, 12 декабря, на конференции IEDM (International Electron Devices Meeting) в Вашингтоне, США.

Разработка Toshiba представляет собой туннельный слой, контролирующий перемещение электронов в SONOS (Silicon Oxide Nitride Oxide Semiconductor), структуре памяти, где электроны удерживаются в нитридном слое изолирующего затвора. Новая структура представляет собой кремниевый кристалл толщиной 1,2 нм, расположенный между 1-нанометровыми оксидными пленками. Функционирование осуществляется посредством изменения величины напряжения на затворе. Такой тип памяти способен хранить информацию очень долгое время и обеспечивает высокую скорость записи и одновременного удаления битов.

Новая технология позвол ... Читать дальше »